三星宣布突破10nm DRAM技术 新型内存容量、性能有望大提 12月17日消息，据The Elec报道，三星宣布与三星先进技术研究所已成功开发出一种新型晶体管，能够实现在10纳米以下制程节点生产DRAM。 这一突破有望解决移动内存进一步微缩所面临的关键物理挑战，为未来设备带来更高的容量与性能表现。 传统DRAM制程的微缩在进入10纳米以下节点后，因物理极限而面...
从一面接触到四面环绕：一文看懂CPU晶体管的进化 12月5日消息，晶体管这个词大家应该都不陌生，是一种微型电子开关，可以说是计算机芯片运作的基石。 典型的晶体管主要由三部分组成： － 栅极（gate）：相当于开关的把手，通过施加电压实现对电流的控制。 － 沟道（channel）：指的是电流的通道。 － 源极（source）和漏极（drain）：分别...
三星闪存芯片首次进入3D晶体管时代：功耗更低 尺寸更小 10月23日消息，自从Intel首次在22nm工艺节点引入Finfet晶体管之后，逻辑工艺正式进入3D时代，现在三星也要在闪存芯片上首发3D晶体管技术了。 FinFET是一种3D结构的晶体管，其结构类似鱼鳍Fin，进而得名鳍式晶体管，相比传统的2D平面晶体管优点很多，Intel率先在22nm节点上使...
改变人类历史的晶体管：整整75年前 终于拿下专利 10月6日消息，75年前，发明晶体管的三位贝尔实验室科学家，终于将美国专利握在手中。 其实早在1947年，第一个可以正常工作的晶体管就完成了演示。 但是直到1950年10月3日，约翰巴丁（John Bardeen）、沃尔特布拉顿（Walter Brattain）、威廉肖克利（William Shoc...
台积电：A14进展顺利良率表现优于预期！性能较N2提升15% 9月25日消息，近日，台积电公布了其下一代A14（1.4nm）工艺的最新进展，称其进展顺利，良率表现优于预期。 除了良率，A14工艺在性能和能效方面相较于N2工艺有着显著的提升，具体来说，A14性能比N2快15%，功耗降低了30%。 台积电计划在A14工艺中采用第二代GAAFET纳米片晶体管和全新的...
雷军展示玄戒O1创始纪念品：芯片本体+设计图 网友强烈建议上架 5月28日消息，雷军今天发文晒出了玄戒O1旗舰处理器创始纪念品，是一块铝板上刻着芯片设计图，中间嵌着玄戒O1芯片本体。 最近有不少高管和媒体都收到了这款纪念品，很多网友非常喜欢，强烈建议上架售卖。 这是小米作为中国科技企业，在自研道路上达到史诗级里程碑的纪念。 玄戒O1发布之后，央视新闻、新华社等都...
