三星宣布突破10nm DRAM技术 新型内存容量、性能有望大提 12月17日消息，据The Elec报道，三星宣布与三星先进技术研究所已成功开发出一种新型晶体管，能够实现在10纳米以下制程节点生产DRAM。 这一突破有望解决移动内存进一步微缩所面临的关键物理挑战，为未来设备带来更高的容量与性能表现。 传统DRAM制程的微缩在进入10纳米以下节点后，因物理极限而面...
从一面接触到四面环绕：一文看懂CPU晶体管的进化 12月5日消息，晶体管这个词大家应该都不陌生，是一种微型电子开关，可以说是计算机芯片运作的基石。 典型的晶体管主要由三部分组成： － 栅极（gate）：相当于开关的把手，通过施加电压实现对电流的控制。 － 沟道（channel）：指的是电流的通道。 － 源极（source）和漏极（drain）：分别...
